admin / 06.01.2018

Процессор под микроскопом

.

Нумерация выводов микросхем

В данной статье рассказывается как определить нумерацию ножек микросхемы

Когда то я сам столкнулся с таким вопросом когда собирал свою первую схемы с микросхемой на то где первая ножка у нее, где вторая и т.д и как определить где какая ножка.Не всегда такая информация пишется на сайтах и нелегко ее найти.Поэтому может для когото простой, а для кого то сложный вопрос я расскажу сдесь.

Нумеруются микросхемы против часовой стрелки начиная с ключа.

Ключ бывает разных видов.

Содержание

микросхемы под микроскопом

На картинке ниже 2 варианта ключа:

1. Полукруглая выемка

2. Точка

бывает еще в виде квадратной или прямоугольной выемки как на нижнем рисунке:

На этом статья наша о определении выводов закончена, у микросхем такие как TDA выводы считаются слева на право от одного и далее

Social Comments

Intel Core i7-8700K под электронным микроскопом

Опубликовано: Андрей Шиллинг

Мы уже неоднократно публиковали фотографии кристаллов, полученные der8auer и OC_Burner, позволяющие чуть глубже заглянуть в современные чипы. GPU и CPU сегодня содержат несколько миллиардов транзисторов и отличаются высоким уровнем сложности. Что хорошо видно по детализованным снимкам.

Кроме обычного оптического микроскопа, Роман Хартунг (ник der8auer) вооружился растровым электронным микроскопом SEM, договорившись о сотрудничестве с университетом Heilbronn University of Applied Sciences. В результате Роман получил весьма детальные снимки процессора Intel Core i7-8700K. В случае SEM электронный пучок направляется на исследуемый образец. Из-за меньшей длины волны пучка электронов такой микроскоп позволяет показать намного меньшие структуры, чем с помощью видимого света. Конечно, кристалл Core i7-8700K сначала был зачищен с помощью очень мелкой «шкурки».

На снимках можно видеть отдельные слои структуры процессора.

Кристалл микропроцессора под микроскопом. часть 1

Чип устанавливается на печатную плату, которая с другой стороны оснащена множеством SMD-резисторов. Толщина конструкции составляет 0,8 мм. У печатной платы насчитывается девять слоев. Также можно видеть и кремниевый процессор, хотя у него при увеличении 33x нельзя различить отдельные структуры. Яркие цилиндрические элементы на печатной плате — это соединения (µBumps). Они обеспечивают связь между кристаллом процессора и печатной платой. Сам процессор располагается снизу, даже при увеличении 300x он представляет собой лишь тонкую область, которая выделяется на снимках благодаря другому оттенку.

У первого растрового электронного микроскопа в университете Heilbronn University of Applied Sciences возможностей было не так много, поэтому Роман перешел на второй, с более высоким разрешением, в итоге снимки получались более детальными. Но даже с увеличением в 430 раз об отдельных участках процессора на кристалле кремния можно лишь догадываться. Только при увеличении 4.000x симок становился более детализованным. Но даже этого уровня недостаточно, чтобы разобрать отдельные транзисторы.

Снимки позволяют получить представления о размере структур современных процессоров. Но даже увеличение 4.000x не позволяет рассмотреть отдельные транзисторы.

Социальные сети

Источник и другие ссылки

Доступных источников нет.

Комментарии (0)

Вам необходимо войти, чтобы оставлять комментарии!

микропроцессор под микроскопом

АМТ-08.02 Преобразователь давления и температуры измерительный автономный

Модель снята с производства. В качестве аналога предлагаем АМТ-10Б

версия для печатинормальная версия

АМТ-08.02 предназначен для измерения и регистрации значений давления и температуры по стволу скважины и (или) изменения их во времени в любой его точке, например, на забое при снятии кривой восстановления давления. Может использоваться в составе пробоотборника ПГПрР (см. Исполнения).

Отличительные особенности АМТ-08.02:

  • простота работы, обработки и интерпретации результатов исследований;
  • запуск в работу по порогу давления;
  • при работе в составе пробоотборника ПГПрР позволяет точно фиксировать термобарическое состояние пробы в момент ее отбора с указанием соответствующей точки на графике зависимости давления и температуры от времени;
  • высокая надежность.

Программное обеспечение Манограф.

Исполнения:

  • АМТ-08.02 — преобразователь давления и температуры измерительный автономный (базовое исполнение);
  • АМТ-08.02М — высокотемпературное исполнение;
  • АМТ-08.02П — для работы в составе пробоотборника ПГПрР;
  • АМТ-08.02МП — высокотемпературное исполнение для работы в составе пробоотборника ПГПрР.
Технические характеристики
Верхний предел измерения (ВПИ) избыточного давления, МПа 16; 25; 40; 60; 100
Пределы допускаемой приведенной погрешности канала измерения избыточного давления в диапазоне рабочих температур, % от ВПИ ±0,25
Диапазон рабочих температур, °C -20…+85
(-20…+1251)
Пределы допускаемой абсолютной погрешности канала температуры, °C ±0,5 (±0,252)
Дискретность измерения, с 0,1….3600
Количество точек измерения, не менее:
— давление + температура
— только давление 		 
698 367
1 396 735
Время автономной работы:
— по объему памяти при дискретности 1 с, сут
— по емкости элементов питания при дискретности 10 с, сут 		 
8,2
250 (1401)
Питание прибора (элементы питания, количество и тип) 1 литиевый элемент АА 3,6 В
Интерфейс подключения к ПК USB
виртуальный COM
Масса, кг, не более:
— преобразователя
— утяжелителя3		  
2
5,4
Габаритные размеры (диаметр/длина), мм:
— преобразователя
— утяжелителя3		  
32/540
32/900
  1. «До полного заполнения памяти» / «от одного комплекта элементов питания».
  2. По согласованию с Заказчиком.
  3. Поставляется по согласованию с Заказчиком.

С АМТ-08.02 часто заказывают:

Сертификаты и свидетельства

Сертификат соответствия № РОСС RU.AЯ36.Н25454 13.08.10 — 12.08.13
Сертификат об утверждении типа средств измерений RU.С.30.053.А №27069 23.03.07-01.04.12

Отзывы

Отзыв на АМТ-08.02 находится в разделе Отзывы.

в начало

Регистрация
 
    Для получения права самостоятельно публиковать энциклопедические и научные статьи, авторам необходимо отправить заявку произвольной формы с указанием минимальных сведений о своей квалификации на e-mail: mre@russika.ru
 
Закрыть окно [x]
Термин в Энциклопедическом Фонде

Большая интегральная схема

Большая интегральная схема (БИС) — интегральная схема (ИС) с высокой степенью интеграции (число элементов в ней достигает 10000), используется в электронной аппаратуре как функционально законченный узел устройств вычислительной техники, автоматики, измерительной техники и др.
По количеству элементов все интегральные схемы условно делят на следующие категории:
  простые (ПИС) — с количеством элементов в кристалле до 10,
  малые (МИС) — до 100,
  средние (СИС) — до 1000,
  большие (БИС) — до 10000,
  сверхбольшие (СБИС) — 1000000,
  ультрабольшие (УБИС) — до 1000000000,
  гигабольшие (ГБИС) — более 1000000000 элементов в кристалле.
Интегральные микросхемы (ИМ), содержащие более 100 элементов, называют микросхемами повышенного уровня интеграции.
Использование БИС сопровождается резким улучшением всех основных показателей по сравнению с аналогичным функциональным комплексом, выполненным на отдельных ИС. Интеграция ИС на одном кристалле приводит к уменьшению количества корпусов, числа сборочных и монтажных операций, количества внешних — наименее надежных — соединений. Это способствует уменьшению размеров, массы, стоимости и повышению надежности.
Дополнительными преимуществами от интеграции ИС являются уменьшение общего количества контактных площадок, сокращение длины соединений, а также меньший разброс параметров, поскольку все ИС расположены на одном кристалле и изготовлены в едином технологическом цикле.
Опыт разработки БИС выявил также и ряд общих проблем, которые ограничивают повышение степени интеграции и которые, нужно, решать в процессе дальнейшего развития микроэлектроники:
  проблема теплоотвода,
  проблема межсоединений,
  проблема контроля параметров,
  физические ограничения на размеры элементов.
В 1964 г.

Из чего состоит процессор. Иллюстрация в картинках

впервые на базе БИС, фирма IBM выпустила шесть моделей семейства IBM 360.
Примерами БИС также могут служить схемы памяти на 4 бит и более, арифметико-логические и управляющие устройства ЭВМ, цифровые фильтры. ИС предназначены для решения самых разнообразных задач, поэтому изготовляется сочетанием методов, находящихся в арсенале полупроводниковой, тонко- и толстопленочной технологий.
ИМ принято классифицировать по способам изготовления и по получаемым при этом структурам на
Полупроводниковая ИМ представляет собой ИС, в которой все элементы и соединения между ними выполнены в едином объеме и на единой поверхности полупроводниковой пластины.
В гибридных микросхемах пассивные компоненты (резисторы и конденсаторы) наносятся на поверхность диэлектрической пластинки, активные (транзисторы) выполняются в виде отдельных дискретных миниатюрных компонентов и присоединяются к микросхеме.

Литература
1. Степаненко И. П., Основы микроэлектроники, М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2003, с. 453-460.
2. Батушев А. В., Микросхемы и их применение, М.: Радио и связь, 1984, с. 13-17.
3. Чернозубов Ю. С., Как рождаются микросхемы, М.: Просвещение, 1989, с. 14-19.

Похожие главы из других работ:

Аналого-цифровые преобразователи

6. Функциональные схемы интегральных АЦП

…

Жидкие кристаллы как основа развития современных технологий

2.2. Изготовление интегральных схем

Союз микроэлектроники и жидких кристаллов оказы-вается чрезвычайно эффективным не только в готовом изделии, но и на стадии изготовления интегральных схем. Как известно, одним из этапов производства микросхем является фотолитография…

Классификация интегральных микросхем

1. Классификация интегральных микросхем

По способу изготовления и получаемой при этом структуре интегральные микросхемы (ИМС) подразделяются на два типа: 1. полупроводниковые ИМС 2. гибридные ИМС. Полупроводниковые ИМС — это монолитные устройства…

Классификация интегральных микросхем, области применения

2.1 Функциональная классификация интегральных микросхем

Практические возможности интегральной технологии в настоящее время таковы, что большинство маломощных функциональных узлов РЭА может быть реализовано в виде микросхем…

Приемник диспетчерской радиостанции

Выбор интегральных микросхем

Проектирование с использованием современной элементной базы предполагает интеграцию различных функциональных звеньев приемника в корпусах отдельных микросхем. При этом большее число блоков в одной микросхеме…

Проектирование интегрального параметрического стабилизатора напряжения

1.3 Особенности интегральных стабилизаторов

Интегральные схемы, работающие в режиме стабилизации питающих напряжений, имеют следующие особенности. В интегральном исполнении преобладают так называемые последовательные стабилизаторы напряжения…

Разработка и исследование методов компенсации динамической температурной погрешности интегральных тензопреобразователей

1.1 Необходимость в интегральных преобразователях

В условиях быстро развивающейся измерительной техники была и остается проблема чувствительного элемента или первичного преобразователя…

Расчет геометрических размеров резисторов и разработка топологии интегральных микросхем

2.2 Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем

Полупроводниковые ИС. В настоящее время различают два класса полупроводниковых ИС: биполярные ИС и МДП МС. Сочетание биполярных и МДП-транзисторов на одном кристалле является особым случаем…

Резисторы

2.1. Классификация интегральных микросхем и их сравнение.

В процессе развития микроэлектроники (МЭ), начиная с 1960 г., номенклатура ИС непрерывно изменялась.

Производство процессоров в картинках

При этом отдельные типы ИС нередко рассматривались как альтернативные, т. е. исключающие все другие…

Синтез дискретной системы управления автоматом-перекладчиком с использованием прерывистых логических функций

11. Выбор элементной базы из интегральных микросхем средней степени интеграции

В качестве элементарной базы выбрали следующие интегральные микросхемы средней степени интеграции: К555ЛА3, К555ЛА4, К555ЛА2 и К555ТР2, характеристики и параметры, которых указаны в Приложении Е…

Синтез многофункционального конечного автомата

1.3 Функциональный ряд интегральных микросхем

Каждая серия ИМС имеет набор микросхем разного функционального назначения. Совокупность этих микросхем называют функциональным рядом. В различных сериях существуют микросхемы одного функционального назначения…

Синтезатор частот средневолнового диапазона

3.1 Подключение интегральных микросхем

В проектируемом устройстве используются несколько интегральных микросхем. Рассмотрим особенности их подключения для обеспечения работоспособности. Начнем с рассмотрения микроконтроллера attiny2313…

Структура твердотельных интегральных микросхем

3. Причины ограничивающие минимальные размеры интегральных микросхем

Для выбранной структуры ИМС минимальные размеры элементов ИМС в целом зависят от возможностей фотолитографического процесса, которые характеризуются тремя основными параметрами: 1) минимальным размером элемента…

Цифровые интегральные микросхемы

Общая характеристика цифровых интегральных микросхем и их параметры

По функциональному назначения ЦИМС подразделяются на подгруппы : логические элементы ЛЭ, триггеры, элементы арифметических и дискретных устройств и другие. Внутри каждой подгруппы микросхемы подразделяются на виды…

Электронные компоненты

4. Механизм случайных отказов диодов и биполярных транзисторов интегральных микросхем

Всякий отказ связан с нарушениями требований проектной документации. По скорости изменения параметров до возникновения отказа различают внезапные и постепенные отказы. Внезапный отказ — это отказ…

FILED UNDER : IT

admin

Submit a Comment

Must be required * marked fields.

:*
:*